SrBi2Ta2O9相关论文
在Si衬底上,以LaNiO3(LNO)为过渡层,用溶胶-凝胶旋涂法制备了沿(115)晶面高度择优取向的SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜,在氧气氛围......
会议
铋层状钙钛矿结构SrBi2Ta2O9(SBT)具有优异的铁电性能，尤其因可作为信息存储介质而受到了广泛的重视与研究。但SBT本身还存在着一些......
以碳酸锶、五氧化二钽、三氧化二铋等物质为原料,采用凝胶-固相反应法制备了SrBi2Ta2o9利用XRD、DTA、SEM等分析手段对其形成过程......
采用sol-gel 工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等......
采用溶胶凝胶工艺在p-Si衬底上制备了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合铁电薄膜.研究了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的微观结构与生长行......
以可溶性无机盐为原料,通过溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电陶瓷薄膜. 实验结果表明,在前驱体溶胶制备中,络合......
用固相反应法合成了SrBi2Ta2O9(简称SBT)粉体,通过冷等静压成型、无压烧结的方法,制备出SBT铁电陶瓷.采用XRD、SEM、EPMA研究了材......
以碳酸锶、五氧化二钽、三氧化二铋等物质为原料，采用凝胶一固相反应法制备了SrBi2Ta2O9。利用XRD、DTA、SEM等分析手段对其形成过......
采用溶胶凝胶方法在Si（100）衬底上生长了SrBi2Ta2O9/LaNiO3（SBT/LNO）异质结薄膜,其中SrBi2Ta2O9薄膜呈高度（115）取向.测量了不同退火温度......
通过几种材料体系的选择,采用溶胶-凝胶法制备出钙钛矿相钽酸锶铋(SBT)铁电粉体.以乙醇钽、醋酸锶、硝酸氧铋作为原材料,乙二醇作......
采用可溶性无机盐Sr(NO3)2,Bi(NO3)3及HTaF6为原料,以柠檬酸、乙二醇及乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,利用溶胶-凝胶旋转涂覆工艺,分......
采用固相反应法制备了Sr1-xBi2Ta2O9∶xPr3＋（SBT∶ xPr3＋）和Sr1-xBi2Ta2O9∶xEu3＋（SBT∶xEu3＋）红色荧光粉材料.通过X射线衍射和扫描式电子......
用于铁电随机存储器(FeRAMs)的铁电薄膜,要求与现有的半导体工艺兼容、大剩余极化(2Pr)和优良的抗疲劳性能等.层状钙钛矿结构铁电......
采用sol-gel工艺制备了Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结．研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影......
以乙醇钽、醋酸锶和硝酸氧铋为原材料,乙二醇单甲醚为溶剂,可以获得稳定的SBT溶胶和凝胶.采用Pt/Ti/SiO2/Si基片,通过溶胶-凝胶法......
用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器，ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主，在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和......
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的SrBi2Ta2O9（SBT）薄膜，根据透射谱计算表明薄膜样品厚度为349nm，线性折射率为3．05......
采用Sol-Gel法及spin-coating法制备出了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜.通过对"对密度分布函数"(pair distribution function,PDF)中结......
采用Raman光谱的方法研究了化学计量和非化学计量SrBi2Ta2O9（SBT）纳米颗粒晶格振动行为。通过常温、变温Raman光谱分析，得到了SBT尺寸......
以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不同平均晶粒尺寸的纯SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉末,晶相粉末......
期刊
采用聚合物前驱体法制备了单一铋系层状钙钛矿相SrBi2Ta2O9粉体，研究了不同烧成温度对SrBi2Ta2O9陶瓷相结构和介电、铁电性能的影响......
综述了 Sr Bi2 Ta2 O9的结构和性能研究进展 ,着重阐明化学组成、结晶取向、热处理条件、使用温度对 Sr Bi2 Ta2 O9铁电性能的影响......
铁电材料与微电子技术相结合,促成了新兴交叉学科——集成铁电学的出现,以铁电随机存储器（FRAM）为代表的铁电集成器件的诞生,推进了......
插层化学作为一门涉及无机、有机、分析、物理化学,并与固态化学、物理学、材料科学相互联系的边缘学科,也在迅速的发展。人们尝试......
